恭喜曼彻斯特大学宋爱民获国家专利权
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龙图腾网恭喜曼彻斯特大学申请的专利器件与方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112106205B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980027918.6，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权器件与方法是由宋爱民;张嘉炜;约书亚·威尔逊设计研发完成，并于2019-02-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本器件与方法在说明书摘要公布了：本发明描述了一种肖特基势垒薄膜晶体管。这种肖特基势垒薄膜晶体管包含了在氧化物半导体上的肖特基源极接触电极。这种肖特基势垒薄膜晶体管拥有至少500的本征增益。本发明还描述了一种在氧化物半导体沟道上形成肖特基源极接触电极的肖特基势垒薄膜晶体管制备方法。
本发明授权器件与方法在权利要求书中公布了：1.一种在氧化物半导体沟道层上形成肖特基源极接触电极的肖特基势垒晶体管，其特征在于：肖特基势垒晶体管拥有至少1000的本征增益；肖特基源级接触电极的有效势垒高度不随肖特基势垒晶体管的漏极电压VD变化；氧化物半导体沟道的厚度H足够小，使其氧化物半导体沟道层的导带最低能的最高点所处的位置在零偏压时位于肖特基源极接触电极与氧化物半导体沟道界面处的10nm之内；在源极接触电极的沉积过程中，利用溅射功率和通入氧来控制势垒的不均匀性，在沉积源极接触时的溅射功率范围为0.4Wcm2到3Wcm2，含氧范围为0.1%到10%之间。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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