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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113823596B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010562009.7，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构及其形成方法是由涂武涛;陈建;王彦;张海洋设计研发完成，并于2020-06-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上的多个并行的伪栅极，以及位于所述伪栅极两侧的侧部结构，其中，所述基底包括隔离区，所述隔离区的延伸方向与所述多个并行的伪栅极相交；去除相交于所述隔离区内的伪栅极，形成横切所述多个并行的伪栅极的初始横切隔离沟槽；去除所述隔离区内的侧部结构，形成目标横切隔离沟槽；形成填充所述目标横切隔离沟槽的横切隔离结构。所述方法提高了器件的性能。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上的多个并行的伪栅极，以及位于所述伪栅极两侧的侧部结构，其中，所述基底包括隔离区，所述隔离区的延伸方向与所述多个并行的伪栅极相交；去除相交于所述隔离区内的伪栅极，形成横切所述多个并行的伪栅极的初始横切隔离沟槽；去除所述隔离区内的侧部结构，形成目标横切隔离沟槽；在所述去除所述隔离区内的侧部结构的过程中同时去除所述侧部结构内的所述伪栅极的突起；形成填充所述目标横切隔离沟槽的横切隔离结构；所述形成填充所述目标横切隔离沟槽的横切隔离结构之后，还包括：采用湿法刻蚀去除所述基底上剩余的伪栅极，形成栅极沟槽；在所述栅极沟槽中形成金属栅极；采用湿法刻蚀去除所述金属栅极中的隔离栅极，形成截断隔离沟槽，所述截断隔离沟槽露出所述横切隔离结构的侧壁；形成填充所述截断隔离沟槽的截断隔离结构。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。