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龙图腾网恭喜索尼半导体解决方案公司申请的专利光接收元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113764448B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110824565.1，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权光接收元件是由佐野拓也设计研发完成，并于2018-01-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本光接收元件在说明书摘要公布了：本发明涉及光接收元件。该光接收元件可包括：半导体层，所述半导体层具有光接收表面；多层配线层，所述多层配线层设置在所述半导体层的与所述光接收表面相对的表面处；以及多个像素；其中，像素包括：第一电压施加部，所述第一电压施加部配置为将第一电压施加到所述半导体层；第二电压施加部，所述第二电压施加部配置为将第二电压施加到所述半导体层；第一电荷检测部，所述第一电荷检测部设置为邻近于所述第一电压施加部；第二电荷检测部，所述第二电荷检测部设置在所述半导体层中且邻近于所述第二电压施加部；以及第一分离部，所述第一分离部设置在所述第一电压施加部和所述第一电荷检测部之间。

本发明授权光接收元件在权利要求书中公布了：1.一种光接收元件，包括：半导体层，所述半导体层具有光接收表面；多层配线层，所述多层配线层设置在所述半导体层的与所述光接收表面相对的表面处；以及多个像素；其中，像素包括：第一电压施加部，所述第一电压施加部配置为将第一电压施加到所述半导体层；第二电压施加部，所述第二电压施加部配置为将第二电压施加到所述半导体层；第一电荷检测部，所述第一电荷检测部设置为邻近于所述第一电压施加部；第二电荷检测部，所述第二电荷检测部设置在所述半导体层中且邻近于所述第二电压施加部；以及第一分离部，所述第一分离部设置在所述第一电压施加部和所述第一电荷检测部之间，其中，所述第一分离部包括氧化物膜，其中，反射构件位于所述多层配线层中，并且，所述反射构件的至少一部分对称地设置在所述第一电荷检测部和所述第二电荷检测部的下侧。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人索尼半导体解决方案公司，其通讯地址为：日本神奈川县；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。