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龙图腾网恭喜北京怀柔实验室申请的专利功率半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119922929B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510374488.2，技术领域涉及：H10D18/00；该发明授权功率半导体器件及其制备方法是由刘瑞;李玲;焦倩倩;魏晓光;王耀华;唐新灵;张语;李立设计研发完成，并于2025-03-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种功率半导体器件及其制备方法，该功率半导体器件包括中心区域和位于中心区域外周的外围区域，中心区域和外围区域均包括多个元胞结构，元胞结构和伪元胞结构均包括沿第一方向顺序设置的缓冲区和基区，中心区域还包括具有导电通道的伪元胞结构，伪元胞结构中缓冲区具有与基区的接触面以及沿第一方向与接触面相对的第一表面；至少部分导电通道嵌于缓冲区中的预定区域中，预定区域与接触面间隔，导电通道中嵌于预定区域中的部分由第二表面延伸至预定区域内部，预定区域用于在功率半导体器件承受设计的击穿电压的情况下形成击穿区域。本申请解决了相关技术中应用于功率半导体器件中的过压保护技术导致其击穿电压一致性较差的问题。

本发明授权功率半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件，其特征在于，包括中心区域和位于所述中心区域外周的外围区域，所述中心区域和所述外围区域均包括多个元胞结构，所述中心区域还包括伪元胞结构，所述元胞结构和所述伪元胞结构均包括沿第一方向顺序设置的缓冲区和基区，所述伪元胞结构还包括导电通道，所述伪元胞结构中：所述缓冲区具有与所述基区的接触面以及沿所述第一方向与所述接触面相对的第一表面；至少部分所述导电通道嵌于所述缓冲区中的预定区域中，所述预定区域具有位于所述第一表面中的第二表面，且所述预定区域与所述接触面间隔，所述导电通道中嵌于所述预定区域中的部分由所述第二表面延伸至所述预定区域内部，所述预定区域用于在所述功率半导体器件承受击穿电压的情况下形成击穿区域。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京怀柔实验室，其通讯地址为：101400 北京市怀柔区杨雁东一路8号院5号楼319室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。