恭喜三星电子株式会社李泰渊获国家专利权
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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利图像传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111029365B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910959825.9，技术领域涉及：H10K39/32；该发明授权图像传感器是由李泰渊;金昶和;金宰浩;朴相千;李贵德;李范硕;李宰圭;笕和宪设计研发完成，并于2019-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本图像传感器在说明书摘要公布了：图像传感器包括：第一有机光电转换层，其位于基底层上；浮置扩散区域，其位于基底层中；第一存储节点，其包括被构造为接收偏置信号的第一电极层、包括半导体材料的第一半导体层的第一部分和第一电介质层的第一部分。第一电介质层在第一电极层与第一半导体层之间延伸。第一存储节点电连接至第一有机光电转换层。图像传感器包括：第一转移晶体管，其包括第一电介质层、第一半导体层和被构造为接收第一转移控制信号的第一转移栅电极。第一转移晶体管具有电连接至第一存储节点的第一端和电连接至浮置扩散区域的第二端。
本发明授权图像传感器在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器，包括：第一有机光电转换层，其位于基底层上；浮置扩散区域，其位于所述基底层中；第一存储节点，其包括被构造为接收偏置信号的第一电极层、第一半导体层的第一部分和第一电介质层的第一部分，其中，所述第一电介质层在所述第一电极层与所述第一半导体层之间延伸，并且其中，所述第一存储节点电连接至所述第一有机光电转换层；以及第一转移晶体管，其包括所述第一电介质层的第二部分、所述第一半导体层的第二部分和被构造为接收第一转移控制信号的第一转移栅电极，其中，所述第一转移晶体管电连接至所述第一存储节点和所述浮置扩散区域，并且所述第一电极层与所述第一转移栅电极间隔开，所述第一电介质层和所述第一半导体层顺序地堆叠在所述第一电极层和所述第一半导体层上。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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