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龙图腾网恭喜北京怀柔实验室申请的专利功率半导体器件及其加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119920773B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510374460.9，技术领域涉及：H01L23/34；该发明授权功率半导体器件及其加工方法是由唐新灵;王亮;韩荣刚;林仲康;代安琪;张红丹;刘瑞;郝炜设计研发完成，并于2025-03-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率半导体器件及其加工方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种功率半导体器件及其加工方法，其中，功率半导体器件包括：第一电极结构和第二电极结构，第一电极结构和第二电极结构间隔设置，第二电极结构包括电极主体及与电极主体连接的第一连接结构；芯片，设置在第一电极结构和电极主体之间，并与第一电极结构和电极主体均电连接；外壳组件，外壳组件包括管壳以及设置在管壳上的第二连接结构，管壳环绕设置在芯片的外周，管壳与第一电极结构连接，第二连接结构与第一连接结构连接；能量释放通道设置在第一连接结构和第二连接结构之间。本申请的技术方案有效地解决了相关技术中的功率半导体器件短路时，释放的能量会对管壳结构造成破坏的概率较高的问题。

本发明授权功率半导体器件及其加工方法在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件，其特征在于，包括：第一电极结构（10）和第二电极结构（20），所述第一电极结构（10）和所述第二电极结构（20）间隔设置，所述第二电极结构（20）包括电极主体（21）及与所述电极主体（21）连接的第一连接结构（22）；芯片（30），设置在所述第一电极结构（10）和所述电极主体（21）之间，并与所述第一电极结构（10）和所述电极主体（21）均电连接；外壳组件（40），所述外壳组件（40）包括管壳（41）以及设置在所述管壳（41）上的第二连接结构（42），所述管壳（41）环绕设置在所述芯片（30）的外周，所述管壳（41）与所述第一电极结构（10）连接，所述第二连接结构（42）与所述第一连接结构（22）连接；能量释放通道（50），设置在所述第一连接结构（22）和第二连接结构（42）之间；所述功率半导体器件还包括第三连接结构（60），所述第三连接结构（60）设置在所述第一连接结构（22）和所述第二连接结构（42）之间；所述能量释放通道（50）设置在所述第一连接结构（22）和所述第二连接结构（42）之间，所述第三连接结构（60）包括至少一个连接部（61），所述能量释放通道（50）包括至少一个子通道（51）；其中，当所述第三连接结构（60）包括一个连接部（61），所述能量释放通道（50）包括一个子通道（51）时，所述连接部（61）的两端之间、所述第一连接结构（22）以及所述第二连接结构（42）之间形成所述子通道（51）；当所述第三连接结构（60）包括多个连接部（61），所述能量释放通道（50）包括多个子通道（51）时，多个所述连接部（61）沿所述第一连接结构（22）的周向间隔设置，任意相邻的两个所述连接部（61）之间、所述第一连接结构（22）以及所述第二连接结构（42）之间形成一个所述子通道（51）。

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