恭喜中国科学院理化技术研究所孟祥敏获国家专利权
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龙图腾网恭喜中国科学院理化技术研究所申请的专利一种易转移的PbX单晶薄膜的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114864377B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110154408.4，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种易转移的PbX单晶薄膜的制备方法是由孟祥敏;王一凡;夏静;李玄泽设计研发完成，并于2021-02-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种易转移的PbX单晶薄膜的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种易转移的PbX单晶薄膜的制备方法，包括以下步骤：在反应容器中放置可溶于水的单晶片衬底，充入惰性气体，升温至500‑680℃，PbCl2粉末和X粉各自升华后的气体混合反应，反应结束后，自然冷却至室温，单晶片衬底表面异质外延生长有PbX单晶薄膜；将单晶片衬底溶解，得到PbX单晶薄膜；其中，X为S、Te、Se。本发明采用化学气相沉积法，得到的单晶薄膜的结晶度高、晶体取向单一、内部缺陷少，与衬底的剥离过程对单晶薄膜没有损伤，单晶薄膜可以保持原有的晶体取向和完整的形貌。同时，该制备方法简单、耗时短、可控性强、成本低，在光电子学领域具有良好的应用前景。
本发明授权一种易转移的PbX单晶薄膜的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种易转移的PbX单晶薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在反应容器中放置可溶于水的单晶片衬底，充入惰性气体，升温至500-680℃，PbCl2粉末和X粉各自升华后的气体混合反应，反应结束后，自然冷却至室温，单晶片衬底表面异质外延生长有PbX单晶薄膜；将单晶片衬底溶解，得到PbX单晶薄膜；其中，X为S；所述单晶片衬底选自NaCl单晶片或KCl单晶片；单晶片衬底置于PbCl2粉末之上；X粉升华后的气体以惰性气体为载体，进而与PbCl2粉末升华后的气体混合反应；当反应器在升温过程中时，所述惰性气体的流速为300-500sccm；当反应器温度保持在500-680℃时，所述惰性气体的流速为30-100sccm。
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