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龙图腾网恭喜三菱电机株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114447110B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111291396.6，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权半导体装置是由佐藤克己设计研发完成，并于2021-11-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：得到能够提高寄生二极管的通电性能的半导体装置。多个第一控制电极8在俯视观察时在第一方向上延伸，多个第二控制电极11在俯视观察时在第二方向上延伸。将与多个第一控制电极8相对的半导体基板1的表面处的第二半导体层3和多个第三半导体层4间的边界线的第一方向上的长度的总和设为第一栅极总宽度ΣG1W。将与多个第二控制电极11相对的半导体基板1的表面处的第四半导体层5和多个第五半导体层6间的边界线的第二方向上的长度的总和设为第二栅极总宽度ΣG2W。将第二栅极总宽度ΣG2W除以第一栅极总宽度ΣG1W而得到的栅极宽度比ΣG2WΣG1W大于或等于1.0。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，具有：半导体基板，其具有彼此相对的第一及第二主面；第一导电型的第一半导体层，其设置于所述半导体基板的所述第一主面和所述第二主面之间；第二导电型的第二半导体层，其设置于所述第一半导体层和所述第一主面之间；第一导电型的多个第三半导体层，它们选择性地设置于所述第二半导体层的表面；第二导电型的第四半导体层，其设置于所述第一半导体层和所述第二主面之间；第一导电型的多个第五半导体层，它们选择性地设置于所述第四半导体层的表面；第一主电极，其设置于所述第一主面之上，与所述第二及第三半导体层连接；第二主电极，其设置于所述第二主面之上，与所述第四及第五半导体层连接；多个第一控制电极，它们与电信号对应地分别对所述第一半导体层和所述多个第三半导体层之间的导通和非导通进行切换；以及多个第二控制电极，它们与电信号对应地分别对所述第一半导体层和所述多个第五半导体层之间的导通和非导通进行切换，所述多个第一控制电极在俯视观察时为在第一方向上延伸的条带状，所述多个第二控制电极在俯视观察时为在第二方向上延伸的条带状，将与所述多个第一控制电极相对的所述半导体基板的表面处的所述第二半导体层和所述多个第三半导体层之间的边界线的所述第一方向上的长度的总和设为第一栅极总宽度，将与所述多个第二控制电极相对的所述半导体基板的表面处的所述第四半导体层和所述多个第五半导体层之间的边界线的所述第二方向上的长度的总和设为第二栅极总宽度，将所述第二栅极总宽度除以所述第一栅极总宽度而得到的栅极宽度比大于或等于1.0，所述多个第一控制电极为沟槽栅极构造，所述半导体基板的所述第一主面侧的区域被所述多个第一控制电极的沟槽分割为多个台面部，所述多个台面部具有：单元部，其包含与所述第一主电极连接的所述第三半导体层；以及哑单元部，其不包含与所述第一主电极连接的所述第三半导体层或不包含所述第三半导体层，相邻的所述单元部的间隔为从所述第二半导体层至所述第四半导体层为止的最短距离的四十分之一至二十分之一。

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