恭喜台湾积体电路制造股份有限公司连建洲获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利鳍式场效应晶体管器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112687544B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010180124.8，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权鳍式场效应晶体管器件及其形成方法是由连建洲;林群能;陈玠玮;江子昂;叶明熙设计研发完成，并于2020-03-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本鳍式场效应晶体管器件及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开涉及鳍式场效应晶体管器件及其形成方法。一种形成半导体器件的方法包括：用电介质材料围绕设置在鳍上方的虚设栅极；通过去除虚设栅极并通过去除沿虚设栅极的侧壁设置的第一栅极间隔件的上部来在电介质材料中形成栅极沟槽，该栅极沟槽包括位于第一栅极间隔件的剩余下部之间的下沟槽，并且包括位于下沟槽上方的上沟槽；在栅极沟槽中依次形成栅极电介质层、功函数层和胶层；从上沟槽中去除胶层和功函数层；在去除之后，用栅极电极材料填充栅极沟槽；以及从上沟槽中去除栅极电极材料，栅极电极材料的剩余部分形成栅极电极。
本发明授权鳍式场效应晶体管器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：用电介质材料围绕设置在鳍上方的虚设栅极；通过去除所述虚设栅极并通过去除沿所述虚设栅极的侧壁设置的第一栅极间隔件的上部来在所述电介质材料中形成栅极沟槽，所述栅极沟槽包括位于所述第一栅极间隔件的剩余下部之间的下沟槽，并且包括位于所述下沟槽上方的上沟槽；在所述栅极沟槽中依次形成栅极电介质层、功函数层和胶层；从所述上沟槽中去除所述胶层和所述功函数层，其中从所述上沟槽中去除所述胶层和所述功函数层暴露所述栅极电介质层的设置在所述上沟槽中的上部；在从所述上沟槽中去除所述胶层和所述功函数层之后，在所述栅极沟槽中并且在所述栅极电介质层的经暴露的上部上再次形成所述胶层；在所述再次形成所述胶层之后，用栅极电极材料填充所述栅极沟槽；以及从所述上沟槽中去除所述栅极电极材料，所述栅极电极材料的剩余部分形成栅极电极。
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