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龙图腾网恭喜山东大学申请的专利一种具有沟槽隔离层的垂直型功率半导体器件及其制备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114220871B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111555912.1，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权一种具有沟槽隔离层的垂直型功率半导体器件及其制备是由刘超;王珩设计研发完成，并于2021-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有沟槽隔离层的垂直型功率半导体器件及其制备在说明书摘要公布了：本发明提供一种具有沟槽隔离层的垂直型Ⅲ族氮化物功率半导体器件结构，由下自上依次包括：阴极电极、重掺杂N型氮化物衬底区、轻掺杂N型氮化物漂移区、重掺杂P型氮化物区、阳极电极，重掺杂P型氮化物区和轻掺杂N型氮化物漂移区竖直接触面之间设置有隔离层。本发明沟槽隔离层结构的设置优化了器件内部的电场分布，有效地提升了器件的反向性能，并保证了优异的正向特性。

本发明授权一种具有沟槽隔离层的垂直型功率半导体器件及其制备在权利要求书中公布了：1.一种具有沟槽隔离层的垂直型Ⅲ族氮化物功率半导体器件结构，其特征在于，由下自上依次包括：阴极电极、重掺杂N型氮化物衬底区、轻掺杂N型氮化物漂移区、重掺杂P型氮化物区、阳极电极，重掺杂P型氮化物区和轻掺杂N型氮化物漂移区竖直接触面之间设置有隔离层；所述隔离层为二氧化硅、氮化硅、氧化铪、氮化铝或氧化铝；重掺杂P型氮化物区和轻掺杂N型氮化物漂移区的两个竖直接触面之间均设置有隔离层，每个隔离层的横向厚度均为50nm-150nm；重掺杂P型氮化物区的掺杂元素为镁离子，有效掺杂浓度为1e17cm-3；所述轻掺杂N型氮化物漂移区由轻掺杂N型氮化物漂移层和轻掺杂N型氮化物突出体组成；轻掺杂N型氮化物突出体为长方体结构，轻掺杂N型氮化物突出体沿轻掺杂N型氮化物漂移层的长度方向设置于轻掺杂N型氮化物漂移层上方的中间位置，轻掺杂N型氮化物突出体和轻掺杂N型氮化物漂移层构成“凸”字形的竖直截面；所述重掺杂P型氮化物区设置于轻掺杂N型氮化物突出体两侧、轻掺杂N型氮化物漂移层的上表面，重掺杂P型氮化物区的厚度与轻掺杂N型氮化物突出体的厚度相同；所述轻掺杂N型氮化物突出体的厚度为0.5μm-3.0μm，宽度为1μm-5μm；隔离层高度与轻掺杂N型氮化物突出体的厚度相同；阳极电极包括肖特基接触阳极电极和欧姆接触阳极电极；肖特基接触阳极电极设置于轻掺杂N型氮化物漂移区的顶面和隔离层的上表面；所述欧姆接触阳极电极设置于重掺杂P型氮化物区上表面。

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