恭喜三星电子株式会社曹诚敏获国家专利权
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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利具有改进的编程性能的存储器设备及其操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110211620B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910057391.3，技术领域涉及：G11C16/10；该发明授权具有改进的编程性能的存储器设备及其操作方法是由曹诚敏;李康斌设计研发完成，并于2019-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有改进的编程性能的存储器设备及其操作方法在说明书摘要公布了：公开了操作存储器设备的方法，包括：对连接至多条字线中的第一字线的存储器单元执行第一编程操作；对连接至多条字线中的第二字线的存储器单元执行第一编程操作；将第一电平的导通电压施加到第一字线和第二字线；将低于第一电平的电平的电压施加到多条字线中的第三字线；对多个单元串中的部分单元串执行预充电操作；以及对连接至第一字线的存储器单元执行第二编程操作。
本发明授权具有改进的编程性能的存储器设备及其操作方法在权利要求书中公布了：1.一种操作存储器设备的方法，所述存储器设备包括存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括包含多个存储器单元的多个单元串、分别连接至所述多个存储器单元的多条字线、以及连接至所述多个单元串的一侧的多条位线，所述方法包括：将第一电平的导通电压施加到所述多条字线中的第一字线和第二字线，并将低于第一电平的电平的电压施加到所述多条字线中的第三字线，并对所述多个单元串中的部分单元串执行预充电操作；对连接至所述多条字线中的第一字线的存储器单元执行第一编程操作；对连接至所述多条字线中的第二字线的存储器单元执行第一编程操作；将第二电平的导通电压施加到第一字线和第二字线；将低于第二电平的电平的电压施加到所述多条字线中的第三字线；对所述多个单元串中的部分单元串执行预充电操作；以及对连接至第一字线的存储器单元执行第二编程操作，其中，第一电平的导通电压低于第二电平的导通电压。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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