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龙图腾网恭喜天津华慧芯科技集团有限公司申请的专利一种防光刻胶漂胶和裂胶的工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114706275B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210151780.4，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权一种防光刻胶漂胶和裂胶的工艺是由王磊;刘新鹏;李宗宴;李文喆;孙峥;付通;宋学颖;曲迪设计研发完成，并于2022-02-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种防光刻胶漂胶和裂胶的工艺在说明书摘要公布了：本发明公开了一种防光刻胶漂胶和裂胶的工艺，属于半导体加工技术领域，包括：S1、选取所需材料的衬底作为待加工晶圆，然后在晶圆上加工套刻标记；S2、在晶圆上沉积过渡层；S3、对晶圆依次进行预处理、旋涂ZEP520A光刻胶、烘烤，然后对晶圆进行套刻曝光，制作将目标图形线宽扩大后的图形，并对晶圆进行显影，最后进行烘烤坚膜；S4、刻蚀晶圆过渡层；S5、对晶圆进行去胶；S6、对晶圆依次进行预处理、旋涂ZEP520A光刻胶、烘烤，然后对晶圆进行套刻曝光，制作目标图形，并对晶圆进行显影；S7、沉积目标金属；S8、对晶圆进行剥离；S9、去除过渡层，得到目标结构。本发明能够防止光刻胶漂胶和裂胶。

本发明授权一种防光刻胶漂胶和裂胶的工艺在权利要求书中公布了：1.一种防光刻胶漂胶和裂胶的工艺，其特征在于，至少包括：S1、选取所需材料的衬底作为待加工晶圆，然后在晶圆上加工套刻标记；S2、使用电子束蒸发或溅射或化学气相沉积在晶圆上沉积50nm厚的二氧化硅；S3、对晶圆进行O2plasma预处理，然后旋涂360nm厚的ZEP520A光刻胶，并使用烘箱180℃烘烤20min，再使用电子束光刻设备对晶圆进行自动套刻曝光，制作将目标图形线宽扩大后的图形，并对晶圆进行显影，然后用120℃热板烘烤2min，进行坚膜；S4、刻蚀晶圆上作为过渡层的二氧化硅；S5、对晶圆进行去胶；S6、对晶圆进行O2plasma预处理，然后旋涂360nm厚的ZEP520A光刻胶，并使用烘箱180℃烘烤20min，再使用电子束光刻设备对晶圆进行自动套刻曝光，制作目标图形，并对晶圆进行显影；S7、沉积目标金属；S8、对晶圆进行剥离；S9、去除过渡层，得到目标结构。

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