恭喜杭州士兰集成电路有限公司;杭州士兰微电子股份有限公司闻永祥获国家专利权
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龙图腾网恭喜杭州士兰集成电路有限公司;杭州士兰微电子股份有限公司申请的专利MEMS麦克风及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110958548B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911215979.3，技术领域涉及：H04R19/00；该发明授权MEMS麦克风及其制造方法是由闻永祥;孙福河;刘琛;金文超;孙文良设计研发完成，并于2019-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本MEMS麦克风及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种MEMS麦克风及其制造方法。所述方法包括：在衬底上依次形成第一隔离层、膜片和第二隔离层；在第二隔离层上依次形成第一保护层、背极板电极和第二保护层；形成贯穿第一保护层、背极板电极和第二保护层的释放孔；形成贯穿衬底的声腔；经由声腔和释放孔释放膜片；以及在第一隔离层上形成凹槽，膜片共形地覆盖在第一隔离层的表面上在凹槽的位置处形成弹簧结构。本发明在释放膜片的蚀刻步骤中采用第一保护层和第二保护层保护背极板电极，使得在释放膜片时背极板电极不被腐蚀，提高了器件的性能和可靠性。并且通过在膜片上形成弹簧结构有效地释放了膜片的应力，提高了MEMS麦克风的灵敏度。
本发明授权MEMS麦克风及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种制造MEMS麦克风的方法，其中，包括：在衬底上依次形成第一隔离层、膜片和第二隔离层；在所述第二隔离层上依次形成第一保护层、背极板电极和第二保护层，所述第二保护层的第一部分形成在所述背极板电极的表面上，所述第二保护层的第二部分形成在所述第一保护层的表面上；形成贯穿所述第一保护层、所述背极板电极和所述第二保护层的释放孔；形成贯穿所述衬底的声腔；经由所述声腔和所述释放孔释放所述膜片；以及在形成所述第一隔离层和所述膜片的步骤之间，还包括：在所述第一隔离层的表面上形成凹槽，所述膜片共形地覆盖在所述第一隔离层的表面上，在所述凹槽的位置处形成弹簧结构。
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