恭喜三菱电机株式会社田中梨菜获国家专利权
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龙图腾网恭喜三菱电机株式会社申请的专利碳化硅半导体装置、电力变换装置以及碳化硅半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114730802B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980102420.1，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权碳化硅半导体装置、电力变换装置以及碳化硅半导体装置的制造方法是由田中梨菜;福井裕;八田英之;足立亘平设计研发完成，并于2019-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本碳化硅半导体装置、电力变换装置以及碳化硅半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：提供耐压高、且能够使导通电阻下降的碳化硅半导体装置。碳化硅半导体装置100具备：第一导电型的基板1；第一导电型的漂移层2，设置于基板1上，由碳化硅构成；第二导电型的体区域3，设置于漂移层2上；第一导电型的源极区域5，设置于体区域3上；源极电极12，连接于源极区域5；栅极绝缘膜10，设置于沟槽6的内表面；栅极电极11，隔着栅极绝缘膜10设置于沟槽6内；第二导电型的保护层7，设置于栅极绝缘膜10的下方；第二导电型的连接层8，与保护层7和体区域3相接；以及第二导电型的电场缓和层9，与连接层8的底面相接地设置于相比连接层8的下方，第二导电型的杂质浓度低于连接层8。
本发明授权碳化硅半导体装置、电力变换装置以及碳化硅半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅半导体装置，具备：第一导电型的基板；第一导电型的漂移层，设置于所述基板上，由碳化硅构成；第二导电型的体区域，设置于所述漂移层上；第一导电型的源极区域，设置于所述体区域上；源极电极，连接于所述源极区域；栅极绝缘膜，设置于沟槽的内表面，该沟槽贯通所述体区域和所述源极区域、且底面位于所述漂移层中；栅极电极，隔着所述栅极绝缘膜设置于所述沟槽内；第二导电型的保护层，设置于所述栅极绝缘膜的下方；第二导电型的连接层，设置于所述漂移层内，与所述保护层和所述体区域相接；以及第二导电型的电场缓和层，与所述连接层的底面相接地设置于相比所述连接层的下方，所述第二导电型的电场缓和层的第二导电型的杂质浓度低于所述连接层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三菱电机株式会社，其通讯地址为：日本东京；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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