恭喜深圳黑晶光电技术有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网恭喜深圳黑晶光电技术有限公司申请的专利一种高开压钙钛矿太阳能电池的制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114744128B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210293906.1,技术领域涉及:H10K71/00;该发明授权一种高开压钙钛矿太阳能电池的制备方法是由请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成,并于2022-03-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高开压钙钛矿太阳能电池的制备方法在说明书摘要公布了:本申请公开了一种高开压钙钛矿太阳能电池的制备方法,所述制备方法包括钙钛矿前驱体配置和钙钛矿太阳能电池制备。本申请通过调控一价阳离子及阴离子的种类和比例得到带隙可控,室温相稳定的钙钛矿。通过向钙钛矿前驱体里引入添加剂消除有机阳离子空位和不饱和配位的铅阳离子,钝化缺陷实现钙钛矿光伏器件1100mV以上的高开压,提高钙钛矿太阳能电池性能。此制备方法,不但能够推动单节钙钛矿电池产业化进程,而且在全钙钛矿叠层,硅钙钛矿叠层以及化合物薄膜钙钛矿叠层方面有着巨大的应用前景。
本发明授权一种高开压钙钛矿太阳能电池的制备方法在权利要求书中公布了:1.一种高开压钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述钙钛矿太阳能电池制备步骤包括:S01:制备底电极,制备透明导电电极,导电薄膜厚度为100-300nm;S02:制备第一层载流子传输层,对电子或者空穴有较强传输能力,包括半导体金属氧化物薄膜、有机聚合物薄膜、有机小分子薄膜中的一种或多种;制备方式包括旋涂、原子层沉积、真空溅射、化学浴沉积、热喷涂、浸泡、蒸镀的一种或多种;S03:制备钙钛矿吸光层,使用配置好钙钛矿前驱体,采用包括旋涂、刮涂、狭缝涂布、热喷涂中的一种制备中间相薄膜,薄膜退火温度70-150℃,退火时间3-60分钟;其中,取甲脒碘,碘化铯,碘化铅,溴化铅以及添加剂4,4-(六氟异丙基)二苯二甲酸酐(6-FDA),DMSO,DMF混合形成所述钙钛矿前驱体;S04:制备第二层载流子传输层,对电子或者空穴有较强传输能力,包括半导体金属氧化物薄膜、有机聚合物薄膜、有机小分子薄膜中的一种或多种;制备方式包括旋涂、原子层沉积、真空溅射、化学浴沉积、热喷涂、浸泡、蒸镀物理化学法薄膜制备的一种或多种式;S05:顶电极的制备,顶电极选择透明导电电极或者金属电极,厚度为80-300nm;包括ITO、AZO、FTO、Au、Ag、Cu、Al中的一种或者多种,制备方式包括丝网印刷、真空溅射、真空蒸镀、原子层沉积、激光脉冲沉积中的至少一种。
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