恭喜长鑫存储技术有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利电容器阵列结构及其制造方法和包含它的半导体存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111223843B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811417939.2，技术领域涉及：H01L23/64；该发明授权电容器阵列结构及其制造方法和包含它的半导体存储器是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2018-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本电容器阵列结构及其制造方法和包含它的半导体存储器在说明书摘要公布了：提供一种电容器阵列结构，所述电容器阵列结构设置于半导体衬底上，包含上电极层、下电极层以及粘附于所述上电极层和所述下电极层之间的电容介质层，所述下电极层在垂直于所述衬底的方向上具有台阶面。本发明分两次形成下电极层，从而解决了刻蚀高深宽比的沟槽时产生的蚀刻停止问题。
本发明授权电容器阵列结构及其制造方法和包含它的半导体存储器在权利要求书中公布了：1.一种电容器阵列结构的制造方法，其特征在于，包括：提供一具有多个间隔分布的电容接触点的衬底；依次形成第一牺牲层和第一支撑层于所述衬底上；通过蚀刻工艺，于所述第一支撑层和所述第一牺牲层上形成第一电容孔，所述第一电容孔暴露出所述电容接触点；形成第一下电极层于所述第一电容孔内壁；形成电容填充层于所述第一电容孔内；于所述第一支撑层上依次形成第二牺牲层和第二支撑层；通过蚀刻工艺，刻蚀所述第二牺牲层和所述第二支撑层，于所述第一电容孔上方形成第二电容孔，所述第二电容孔露出所述电容填充层，其中：在相对于垂直所述衬底的方向上所述第二电容孔与所述第一电容孔存在不同的倾斜度；形成第二下电极层于所述第二电容孔侧壁，所述第二下电极层与所述第一下电极层相连；除去所述电容填充层；除去所述第一牺牲层和所述第二牺牲层；形成电容介质层覆盖所述第一下电极层和所述第二下电极层；形成上电极层覆盖所述电容介质层。
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