恭喜三星电子株式会社黄盛珉获国家专利权
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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利三维半导体存储器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111180418B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911105606.0，技术领域涉及：H01L23/538；该发明授权三维半导体存储器件及其制造方法是由黄盛珉;任峻成;金志荣;金智源;梁宇成设计研发完成，并于2019-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维半导体存储器件及其制造方法在说明书摘要公布了：公开了三维半导体存储器件及其制造方法。可以提供一种三维半导体存储器件，包括：衬底，包括单元阵列区和连接区；电极结构，包括交替堆叠在衬底上的多个电极和多个介电层，电极结构在连接区上具有阶梯部分；蚀刻停止结构，在电极结构的阶梯部分上；以及多个接触插塞，在连接区上，接触插塞穿透蚀刻停止结构并且分别连接到电极的对应焊盘部分。蚀刻停止结构可以包括蚀刻停止图案和水平介电层，水平介电层具有均匀的厚度并且覆盖蚀刻停止图案的顶表面和底表面。
本发明授权三维半导体存储器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种三维半导体存储器件，包括：衬底，包括单元阵列区和连接区；电极结构，包括交替堆叠在所述衬底上的多个电极和多个介电层，所述电极结构在所述连接区上具有阶梯部分；蚀刻停止结构，在所述电极结构的阶梯部分上；以及多个接触插塞，在所述连接区上，所述多个接触插塞穿透所述蚀刻停止结构并分别连接到所述多个电极的对应焊盘部分，其中所述蚀刻停止结构包括蚀刻停止图案和水平介电层，所述水平介电层具有均匀的厚度并且覆盖所述蚀刻停止图案的顶表面和底表面，并且其中所述蚀刻停止图案在其内部具有不连续界面，所述蚀刻停止图案的所述不连续界面沿所述电极结构的所述阶梯部分形成。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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