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龙图腾网恭喜杭州赫瑞半导体科技有限公司申请的专利一种碳化硅陶瓷材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119504275B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411775034.8，技术领域涉及：C04B35/78；该发明授权一种碳化硅陶瓷材料及其制备方法是由胡晓文;王欣;鲁春茂设计研发完成，并于2024-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅陶瓷材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种碳化硅陶瓷材料及其制备方法，涉及陶瓷技术领域。本发明在制备碳化硅陶瓷材料时，先将杏壳碳与纳米二氧化硅、钠盐混合在氮气氛围下煅烧制得改性碳化硅复合纳米线；将改性碳化硅复合纳米线与镨粉以熔盐法进行改性制得镨改性碳化硅复合纳米线；将液态聚碳硅烷、镨改性碳化硅复合纳米线、改性助剂、碳化硅颗粒、烧结助剂以湿法球磨混合固化后制成复合烧结粉料；将复合烧结粉料以放电等离子烧结法进行烧结，随后在氩气氛围下退火，制得碳化硅陶瓷材料。本发明制备的碳化硅陶瓷材料具有高导热、电磁屏蔽、高强度、高致密的优点。

本发明授权一种碳化硅陶瓷材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括以下制备步骤：（1）按质量份数计，将5~8份杏壳碳、2~3份纳米二氧化硅、0.2~0.3份氟化钠、0.14~0.2份氯化钠混合均匀，在室温下，研磨50~60min，在空气氛围下，200~210℃预烧4~5h，在氮气氛围下，以5℃min的升温速率升温至1400~1500℃煅烧3~4h，继续自然冷却至室温，在空气氛围下，在700℃保温2h除碳，自然冷却至室温，研磨40~50min，制得改性碳化硅复合纳米线；（2）按质量份数计，将5~6份镨粉、2~3份改性碳化硅复合纳米线、6~7份氯化钠、8~9份氯化钾混合均匀，研磨30~40min，在氩气氛围下，以8℃min的升温速率升温至500℃保温30~40min，再以5℃min的升温速率升温至850℃保温5h，自然冷却至室温，用纯水超声清洗30~40min，过滤，用纯水洗涤3~4次，在50~60℃真空干燥8~10h，研磨、过200目筛，制得镨改性碳化硅复合纳米线；（3）按质量份数计，将8~10份液态聚碳硅烷、5~6份镨改性碳化硅复合纳米线、1.6~2份二乙烯基苯、30~40份碳化硅颗粒、2~3份烧结助剂混合均匀，加入球磨机中，以碳化硅磨球作为介质，球料比5:1，以300~350rpm研磨20~24h，在70~80℃干燥8~10h，研磨后过200目筛，制得复合烧结粉料；（4）将复合烧结粉料在石墨模具中预压成型，外加压力150MPa，保压2min，放入放电等离子炉中按烧结制度进行烧结，烧结压力30~40MPa，制得碳化硅陶瓷材料；步骤（3）所述烧结助剂是由氧化钇、氮化铝、氧化铈按质量比2:1:2混合而成；步骤（4）所述烧结制度为：氩气氛围下，以100℃min升温速率升温至800~900℃保温3~4min，以100℃min升温速率升温至1200~1300℃保温7~8min，以100℃min升温速率继续升温至1600℃，以40℃min升温速率继续升温至1850~1900℃，保温10~15min，以50℃min降温速率降温至1200℃，随后自然冷却至室温，脱模后在空气氛围下，600℃保温2h除碳，在氩气氛围下，1300~1400℃退火1h。

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