恭喜宁波众芯半导体有限公司陈晓伦获国家专利权
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龙图腾网恭喜宁波众芯半导体有限公司申请的专利二极管及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119364833B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411941230.8，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权二极管及其形成方法是由陈晓伦设计研发完成，并于2024-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本二极管及其形成方法在说明书摘要公布了：一种二极管及其形成方法，所述二极管包括：漂移调整带，位于至少部分漂移区内，用于调整少子复合速度，所述漂移调整带具有第一导电类型，所述漂移调整带内掺有第一导电类型的杂质和第二导电类型的杂质，所述漂移调整带的总掺杂浓度高于所述漂移区的掺杂浓度。本发明可以减少二极管的反向恢复时间，并提高二极管的软度因子。
本发明授权二极管及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种二极管，包括：具有间隔的第一重掺杂区和第二重掺杂区，所述第一重掺杂区具有第一导电类型，所述第二重掺杂区具有第二导电类型，所述第一导电类型和所述第二导电类型相反，所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区的所述间隔构成漂移区，所述漂移区内掺有所述第一导电类型的杂质且掺杂浓度低于所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区，所述漂移区具有所述第一导电类型；其特征在于，所述二极管还包括：漂移调整带，位于至少部分所述漂移区内，用于调整少子复合速度，所述漂移调整带具有所述第一导电类型，所述漂移调整带内掺有所述第一导电类型的杂质和所述第二导电类型的杂质，所述漂移调整带的总掺杂浓度高于所述漂移区的掺杂浓度；所述漂移区内含有重金属杂质，所述重金属杂质的浓度与所述漂移调整带的总掺杂浓度相关。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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