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龙图腾网恭喜清华大学申请的专利双极型响应光电探测器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119584705B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510113540.9，技术领域涉及：H10F77/169；该发明授权双极型响应光电探测器及制备方法是由孙皓;吴金华;甯存政;姚世鹏;侯彰钰设计研发完成，并于2025-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本双极型响应光电探测器及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及光通信领域，提供一种双极型响应光电探测器及制备方法，其中的双极型响应光电探测器包括：重掺P型硅衬底，其表面附着有氧化硅层；聚甲基丙烯酸甲酯改性石墨烯，包括石墨烯和吸附于石墨烯表面的聚甲基丙烯酸甲酯，贴合于氧化硅层上；两个电极，分别贴合于聚甲基丙烯酸甲酯改性石墨烯的设定位置。该探测器低成本且易加工，通过石墨烯与聚甲基丙烯酸甲酯的复合结构设计，显著提高了探测器的响应度和稳定性，还能够同时检测多种不同波长的光信号，满足不同应用场景的需求，此外，探测器正响应电流和负响应电流的时间依赖特性具有明显差异，解决了以往双极型响应探测器在光通信应用中因正负响应存在抵消导致误码的问题。

本发明授权双极型响应光电探测器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种双极型响应光电探测器，其特征在于，包括：重掺P型硅衬底，其表面附着有氧化硅层；聚甲基丙烯酸甲酯改性石墨烯，包括石墨烯和吸附于石墨烯表面的聚甲基丙烯酸甲酯，贴合于所述氧化硅层上；两个电极，分别贴合于所述聚甲基丙烯酸甲酯改性石墨烯的设定位置；其中，所述聚甲基丙烯酸甲酯改性石墨烯的制备方法包括：（1）通过化学气相沉积法在金属箔基底上生长单层石墨烯；（2）通过湿法转移技术将单层石墨烯转移到重掺P型硅衬底上；（3）将步骤（2）获得的转移到重掺P型硅衬底的单层石墨烯置于含4×10-6-1×10-5浓度的聚甲基丙烯酸甲酯的丙酮溶液中，使聚甲基丙烯酸甲酯吸附在石墨烯表面，形成不连续的薄膜；（4）真空145℃~160℃退火，得到所述聚甲基丙烯酸甲酯改性石墨烯。

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