恭喜台湾积体电路制造股份有限公司杨世海获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利高密度3D FERAM获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113410255B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110215766.1，技术领域涉及：H10B51/30；该发明授权高密度3D FERAM是由杨世海;杨柏峰;林佑明;徐志安设计研发完成，并于2021-02-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本高密度3D FERAM在说明书摘要公布了：本申请涉及高密度3DFERAM。一种器件，包括：第一沟道；第二沟道，该第二沟道在所述第一沟道上方；以及栅极结构，该栅极结构围绕第一沟道和第二沟道，其中，该栅极结构包括围绕第一沟道和第二沟道的铁电FE层以及围绕该FE层的栅极金属层。该器件还包括：两个第一电极，该两个第一电极连接到第一沟道的两侧；两个第二电极，该两个第二电极连接到第二沟道的两侧；电介质层，该电介质层在两个第一电极和两个第二电极之间；以及内部间隔件层，该内部间隔件层在两个第一电极和栅极结构之间。
本发明授权高密度3D FERAM在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：一个或多个晶体管；第N金属层，所述第N金属层在所述一个或多个晶体管之上，N为自然数；第一沟道，所述第一沟道设置在所述第N金属层之上；第二沟道，所述第二沟道在所述第一沟道上方；栅极结构，所述栅极结构围绕所述第一沟道和所述第二沟道，其中，所述栅极结构包括围绕所述第一沟道和所述第二沟道的铁电层以及围绕所述铁电层的栅极金属层；两个第一电极，所述两个第一电极连接到所述第一沟道的两侧；两个第二电极，所述两个第二电极连接到所述第二沟道的两侧；电介质层，所述电介质层在所述两个第一电极和所述两个第二电极之间；以及内部间隔件层，所述内部间隔件层在所述两个第一电极和所述栅极结构之间。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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