恭喜台湾积体电路制造股份有限公司范智翔获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113889532B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110241119.8，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体器件及其形成方法是由范智翔;沈宗翰;林加明;李威缙;李显铭;徐志安设计研发完成，并于2021-03-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体器件及其形成方法。一种形成半导体器件的方法，包括：在鳍之上形成虚设栅极，其中，鳍突出于衬底之上；用电介质材料包围虚设栅极；以及用替换栅极结构来替换虚设栅极，其中替换该虚设栅极包括：在电介质材料中形成栅极沟槽，其中，形成栅极沟槽包括去除虚设栅极；在栅极沟槽中形成金属栅极堆叠，其中，形成该金属栅极堆叠包括在栅极沟槽中依次形成栅极电介质层、第一功函数层和间隙填充材料；以及扩大栅极沟槽中的间隙填充材料的体积。
本发明授权半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：在鳍之上形成虚设栅极，其中，所述鳍突出于衬底之上；用电介质材料包围所述虚设栅极；以及用替换栅极结构来替换所述虚设栅极，其中，替换所述虚设栅极包括：在所述电介质材料中形成栅极沟槽，其中，形成所述栅极沟槽包括去除所述虚设栅极；在所述栅极沟槽中形成金属栅极堆叠，其中，形成所述金属栅极堆叠包括在所述栅极沟槽中依次形成栅极电介质层、第一功函数层和间隙填充材料；以及扩大所述栅极沟槽中的所述间隙填充材料的体积；其中，所述间隙填充材料由含铝材料形成，并且其中，扩大所述体积包括用含氟化学品来处理所述间隙填充材料。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号