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龙图腾网恭喜TDK株式会社申请的专利磁传感器的设计方法及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114814674B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210058998.5，技术领域涉及：G01R33/09；该发明授权磁传感器的设计方法及制造方法是由梅原刚;原田健太郎;小林尚史设计研发完成，并于2022-01-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本磁传感器的设计方法及制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种能够容易地应对各种设计条件的磁传感器的设计方法。磁传感器具有串联连接的第一及第二磁阻效应元件和串联连接的第三及第四磁阻效应元件，第一及第二磁阻效应元件的组和第三及第四磁阻效应元件的组并联连接，第一及第四磁阻效应元件连接到电源侧。在设计该磁传感器时，对于第一～第四磁化固定层的磁化方向分别相对于规定的基准角度旋转第一～第四角度θ1～θ4，θ1＝θ3、θ2＝θ4、θ1≠θ2，且θ1－θ2不同的多个磁传感器求出在与各磁传感器的输出之间成立规定的线性关系的第一～第四磁化自由层的磁化方向的角度范围和磁传感器的输出范围的关系，从多个磁传感器选择满足角度范围和输出范围的要求条件的磁传感器。

本发明授权磁传感器的设计方法及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种磁传感器的设计方法，其中，所述磁传感器具有串联连接的第一及第二磁阻效应元件的组和串联连接的第三及第四磁阻效应元件的组，所述第一及第二磁阻效应元件的组和所述第三及第四磁阻效应元件的组并联连接，所述第一及第四磁阻效应元件连接到电源侧，所述第一～第四磁阻效应元件分别具有磁化方向被固定的第一～第四磁化固定层和磁化方向根据外部磁场旋转的第一～第四磁化自由层，所述设计方法具有：准备所述第一～第四磁化固定层的磁化方向分别相对于规定的基准角度形成第一～第四角度θ1～θ4的角度，θ1＝θ3、θ2＝θ4、θ1≠θ2，且θ1－θ2不同的多个磁传感器的步骤；求出各磁传感器的角度范围和输出范围的关系的步骤，所述角度范围是在与磁传感器的输出之间成立规定的线性关系的第一～第四磁化自由层的磁化方向的角度范围；和从所述多个磁传感器选择满足所述角度范围和所述输出范围的要求条件的磁传感器的步骤。

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