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龙图腾网恭喜天津大学申请的专利基于负压钳位层结构的高速有源像素装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115000106B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210590960.2，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权基于负压钳位层结构的高速有源像素装置是由高静;敖靖华;高志远;聂凯明;徐江涛设计研发完成，并于2022-05-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于负压钳位层结构的高速有源像素装置在说明书摘要公布了：本发明涉及模拟集成电路设计领域，为通过提高PPD与FD的电势差，让光生电子聚集在靠近传输栅的位置，最终提高光生电子的转移速率、转移效率。为此，本发明采取的技术方案是，基于负压钳位层结构的高速有源像素装置，对于N型PPD，包括高浓度P掺杂的钳位层、N掺杂区和低浓度P掺杂的高阻衬底，两个P掺杂区与N掺杂区分别形成一个P+N突变结和一个线性缓变结，钳位层连接负电压。本发明主要应用于模拟集成电路设计制造场合。

本发明授权基于负压钳位层结构的高速有源像素装置在权利要求书中公布了：1.一种基于负压钳位层结构的高速有源像素装置，其特征是，对于N型PPD，包括高浓度P掺杂的钳位层、N掺杂区和低浓度P掺杂的高阻衬底，两个P掺杂区与N掺杂区分别形成一个P+N突变结和一个线性缓变结，钳位层连接负电压；其中，P+N突变结和线性缓变型PN结的耗尽区宽度分别为： 其中εr、ε0分别为硅的相对介电常数和真空介电常数，VN、Vpinning-layer分别为N区的最高电势和钳位层的外接电压，q为单位电荷量，N为N区掺杂浓度，αj为线性缓变结的掺杂浓度梯度，记N区的纵深长度为L，N区中未耗尽区的纵深长度为LN，根据突变结和线性缓变结的耗尽区分布特性，XD1、XD2、L、LN的关系表示为：LN＝L-XD1-XD23钳位电压Vpin定义为PPD转移完所有电荷后的最高电势，根据此定义，方程3中当LN＝0时，计算出的VN即为钳位电压Vpin，即 当为钳位层施加一个负电压时，由方程4可知Vpinning-layer0，为了保持等式成立，Vpin将会被拉低，PPD与FD的电压差将会增大，大电压差导致的横向电场增大，使光生电子更快地从PPD转移至FD。

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