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龙图腾网恭喜上海超硅半导体股份有限公司;重庆超硅半导体有限公司申请的专利一种器具金属沾污缓释测量及评价的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115774049B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211502749.7，技术领域涉及：G01N27/626；该发明授权一种器具金属沾污缓释测量及评价的方法是由刘维海;李雅霜;王锡铭;张俊宝;陈猛设计研发完成，并于2022-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种器具金属沾污缓释测量及评价的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种器具金属沾污缓释及评价的方法，所述测量方法包括如下步骤：（1）向器具中装入一定量缓释液，采用电感耦合等离子质谱仪进行溶液金属含量分析，得到数据①；（2）放置30min后再一次用电感耦合等离子质谱仪分析被测试器具金属含量，得到数据②；（3）放置90min后同样采用电感耦合等离子质谱仪分析被测试器具金属含量，得到数据③；（4）通过比较计算①②③结果，确定器具金属沾污程度。从而评价该器具是否符合使用标准。其所述评价方法如下步骤：（1）分析数据①各金属数据不能超过控制限Ⅰ；（2）分析数据②③各金属数据不能超过控制限Ⅱ；（3）分析数据②比数据①增量小于100%，且数据③比数据②增量小于100%。

本发明授权一种器具金属沾污缓释测量及评价的方法在权利要求书中公布了：1.一种器具金属沾污缓释测量及评价的方法，所述测量方法包括如下步骤：（1）向器具中装入一定量缓释液，采用电感耦合等离子质谱仪进行溶液金属含量分析，得到数据①；（2）放置于洁净室30min再一次用电感耦合等离子质谱仪分析被测试器具金属含量，得到数据②；（3）放置于洁净室90min同样采用电感耦合等离子质谱仪分析被测试器具金属含量，得到数据③；（4）通过比较计算①②③结果，确定器具金属沾污程度，从而评价该器具是否符合使用标准；其特征在于，评价方法具体方法如下步骤：（1）分析数据①各金属数据不能超过控制限Ⅰ；（2）分析数据②③各金属数据不能超过控制限Ⅱ；（3）分析数据②比数据①的增量△t1=（②-①）①，数据③比数据②的增量△t2=（③-②）②，若结果△t1，△t2均小于100%，即可确保沾污释放的速度在可控范围内，从而确定器具的洁净程度在可接收范围。

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