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龙图腾网恭喜富士电机株式会社申请的专利半导体装置以及半导体装置的控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110911399B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910705940.3，技术领域涉及：H10D84/40；该发明授权半导体装置以及半导体装置的控制方法是由岩水守生设计研发完成，并于2019-08-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置以及半导体装置的控制方法在说明书摘要公布了：提供能够防止可靠性的下降且能够作为双向开关使用的半导体装置以及半导体装置的控制方法。具备：电力电路芯片3，其具有第一半导体元件2a和第二半导体元件2b，该第一半导体元件2a和第二半导体元件2b相互共用n型的半导体区，在该半导体区的上部相互分离地设置有p型的阱区，第一半导体元件2a的n型的源极区设置在一个阱区的上部，第二半导体元件2b的n型的源极区设置在另一个阱区的上部；以及控制电路芯片5，其具有驱动电路6，该驱动电路6向第一半导体元件的栅极电极和第二半导体元件的栅极电极分别提供相互独立的第一驱动信号和第二驱动信号。

本发明授权半导体装置以及半导体装置的控制方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，具备：第一半导体元件和第二半导体元件，为了构成主开关电路，所述第一半导体元件和所述第二半导体元件具有由第一导电型的半导体区形成的共用区，在该共用区的上部相互分离地设置有第二导电型的第一阱区和第二导电型的第二阱区，所述第一半导体元件的第一导电型的第一源极区设置在所述第一阱区的上部，所述第二半导体元件的第一导电型的第二源极区设置在所述第二阱区的上部；以及驱动电路，其向所述第一半导体元件的控制电极和所述第二半导体元件的控制电极分别提供相互独立的第一驱动信号和第二驱动信号，其中，所述第一驱动信号的宽度比所述第二驱动信号的宽度宽，并且在所述第一半导体元件为导通状态的期间内进行所述第二驱动信号的从导通到切断的切换以及从切断到导通的切换，所述驱动电路具有处理电路以及与所述第一半导体元件的所述控制电极及所述第二半导体元件的所述控制电极分别相互独立地电连接的第一升压电路和第二升压电路，所述第一升压电路及所述第二升压电路分别相互独立地与所述处理电路电连接，与所述第一半导体元件的所述控制电极连接的所述第一升压电路的输出电压高于与所述第二半导体元件的所述控制电极连接的所述第二升压电路的输出电压。

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