恭喜上海新微技术研发中心有限公司汪巍获国家专利权
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龙图腾网恭喜上海新微技术研发中心有限公司申请的专利基于光子晶体的波导型锗光电探测器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112331725B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910717527.9，技术领域涉及：H10F77/40；该发明授权基于光子晶体的波导型锗光电探测器及制备方法是由汪巍;方青;涂芝娟;曾友宏;蔡艳;余明斌设计研发完成，并于2019-08-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于光子晶体的波导型锗光电探测器及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于光子晶体的波导型锗光电探测器及制备方法，所述锗光电探测器包括：硅波导结构；锗光电探测器，连接于所述硅波导结构，所述锗光电探测器的锗吸收区及所述锗吸收区外围的周边硅材料区中具有周期性排列的介质材料，以形成具有慢光效应的光子晶体结构。本发明与传统波导型锗光电探测器相比，可以实现更高效的光吸收效率，通过减小器件尺寸，实现低暗电流、低电容和高响应度光电探测器制备。
本发明授权基于光子晶体的波导型锗光电探测器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于光子晶体的波导型锗光电探测器，其特征在于，所述锗光电探测器包括：硅波导结构；锗光电探测器，连接于所述硅波导结构，所述锗光电探测器的锗吸收区及所述锗吸收区外围的周边硅材料区中具有周期性排列的介质材料，以形成具有慢光效应的光子晶体结构，所述锗吸收区具有相对的第一端及第二端，以及相对的第一侧及第二侧，所述锗吸收区的第一端与所述硅波导结构相对设置，所述锗吸收区的第二端连接具有所述光子晶体结构的反射结构。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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