恭喜台湾积体电路制造股份有限公司陈国儒获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113161320B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110384428.0，技术领域涉及：H01L23/528；该发明授权半导体器件及其形成方法是由陈国儒;黄俊贤;刘书豪;陈亮吟;张惠政;杨育佳设计研发完成，并于2021-04-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体器件及其形成方法。一种半导体器件包括：第一电介质层，设置在衬底和导电特征之上；掺杂电介质层，设置在第一电介质层之上；第一金属部分，设置在第一电介质层中并与导电特征接触；以及掺杂金属部分，设置在第一金属部分之上。第一金属部分和掺杂金属部分包括相同的贵金属材料。掺杂电介质层和掺杂金属部分包括相同的掺杂剂。掺杂剂被键合到该贵金属材料。
本发明授权半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：第一电介质层，设置在衬底和导电特征之上；掺杂电介质层，设置在所述第一电介质层之上；第一金属部分，设置在所述第一电介质层中并与所述导电特征接触；以及掺杂金属部分，设置在所述第一金属部分之上，其中，所述第一金属部分和所述掺杂金属部分包括相同的贵金属材料，所述掺杂电介质层和所述掺杂金属部分包括相同的掺杂剂，其中，所述掺杂剂被键合到所述掺杂金属部分中的贵金属材料，并且所述掺杂剂的在所述掺杂金属部分中的分布曲线的峰值在接近所述掺杂金属部分的中部的位置。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号