恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司李志林获国家专利权
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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113496993B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010252539.1，技术领域涉及：H01L23/528；该发明授权半导体结构及半导体结构的形成方法是由李志林设计研发完成，并于2020-04-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及半导体结构的形成方法，其中，半导体结构包括：衬底，所述衬底包括器件区，所述器件区包括若干第一区，以及位于相邻第一区之间的第二区，所述第一区和第二区沿第一方向排布；位于所述器件区上的第一互连结构，所述第一互连结构包括若干沿第二方向延伸的第一互连层和第二互连层，在所述第二方向上，所述第一互连层的长度大于所述第二互连层的长度，所述第一方向与所述第二方向互相垂直；位于所述第一互连结构上的若干第三互连层，在所述第二方向上，所述第三互连层的长度大于所述第二互连层的长度。从而，提高了半导体结构的性能。
本发明授权半导体结构及半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括器件区，所述器件区包括若干第一区，以及位于相邻第一区之间的第二区，所述第一区和第二区沿第一方向排布；位于所述器件区上的第一互连结构，所述第一互连结构与所述器件区的电路电互连，所述第一互连结构包括若干沿第二方向延伸的第一互连层和第二互连层，所述第一互连层和所述第二互连层位于同层，所述第一互连层位于第一区上，所述第二互连层位于所述第二区上，在所述第二方向上，所述第一互连层的长度大于所述第二互连层的长度，所述第一方向与所述第二方向互相垂直；位于所述第一互连结构上的若干第三互连层，并且，所述第三互连层位于所述第二区上，所述第三互连层与所述第二互连层电互连，在所述第二方向上，所述第三互连层的长度大于所述第二互连层的长度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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