恭喜台湾积体电路制造股份有限公司邱奕正获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113571520B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110475581.4，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权半导体器件及其制造方法是由邱奕正;林天声;许胜福;李陈毅;钟久华设计研发完成，并于2021-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：提供一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件具有位于衬底中的源极区及漏极区、栅极结构以及金属线。源极区在衬底中环绕漏极区。栅极结构设置在衬底上，且设置在源极区与漏极区之间。栅极结构环绕漏极区。金属线位于源极区及漏极区以及栅极结构上方且电连接到漏极区或源极区。源极区包括掺杂区，所述掺杂区具有位于所述掺杂区的两个相对端部之间的断开区。金属线从漏极区延伸、跨越栅极结构且跨越断开区并超过源极区。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：漏极区，位于衬底中；源极区，位于所述衬底中，环绕所述漏极区；栅极结构，设置在所述衬底上，设置在所述源极区与所述漏极区之间且环绕所述漏极区；以及金属线，位于所述源极区及所述漏极区以及所述栅极结构上方且电连接到所述漏极区或所述源极区，其中所述源极区包括掺杂区，所述掺杂区具有位于所述掺杂区的两个相对端部之间的断开区；并且其中所述金属线从所述漏极区延伸、跨越所述栅极结构且跨越所述断开区并超过所述源极区。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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