恭喜夏普株式会社鸿丸翔平获国家专利权
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龙图腾网恭喜夏普株式会社申请的专利离子生成装置以及离子迁移率分析装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114624327B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111439750.5，技术领域涉及：G01N27/622；该发明授权离子生成装置以及离子迁移率分析装置是由鸿丸翔平;久轩佳彦;新川幸治;岩松正设计研发完成，并于2021-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本离子生成装置以及离子迁移率分析装置在说明书摘要公布了：提供一种能够使用电子发射元件生成正离子的离子生成装置。本发明的离子生成装置具备：电子发射元件、对置电极以及控制部，所述电子发射元件包括：下部电极；表面电极；以及配置于所述下部电极与所述表面电极之间的中间层，所述对置电极以与所述表面电极相对的方式配置，所述控制部设置成：对所述表面电极、所述下部电极或者所述对置电极施加电压，使得在生成正离子的正离子模式下，所述表面电极的电位高于所述下部电极的电位以及所述对置电极的电位。
本发明授权离子生成装置以及离子迁移率分析装置在权利要求书中公布了：1.一种离子生成装置，其特征在于，其具备：电子发射元件、对置电极以及控制部，所述电子发射元件包括：下部电极；表面电极；以及配置于所述下部电极与所述表面电极之间的中间层，所述对置电极以与所述表面电极相对的方式配置，所述控制部设置成：对所述表面电极、所述下部电极或者所述对置电极施加电压，使得在生成正离子的正离子模式下，所述表面电极的电位高于所述下部电极的电位以及所述对置电极的电位；所述控制部设置为对所述下部电极与所述表面电极之间施加电压，使得在所述正离子模式下，从所述电子发射元件发射能量比所述表面电极与所述对置电极之间的气体成分的电离能更高的电子。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人夏普株式会社，其通讯地址为：日本国大阪府堺市堺区匠町1番地；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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