恭喜华南理工大学李国强获国家专利权
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龙图腾网恭喜华南理工大学申请的专利一种二维MXene功能化的InxGa1-xN纳米柱及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110655035B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911007669.2，技术领域涉及：B81B7/04；该发明授权一种二维MXene功能化的InxGa1-xN纳米柱及其制备方法与应用是由李国强;林静;余粤锋;张志杰设计研发完成，并于2019-10-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种二维MXene功能化的InxGa1-xN纳米柱及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种二维MXene功能化的InxGa1‑xN纳米柱及其制备方法与应用。该二维MXene功能化的InxGa1‑xN纳米柱包括衬底、衬底上的MXene层、生长在MXene层上的InxGa1‑xN纳米柱；其中0≤x≤1。本发明采用二维MXene作为衬底与InxGa1‑xN纳米柱之间的功能层，不仅拓宽了衬底的选择范围，降低了成本；还有效降低了衬底与纳米柱之间的界面阻抗，有利于增强载流子输运性能，大幅度提高纳米柱的光电性能；同时避免了纳米柱在衬底上容易被刻蚀的缺点，提高其光电稳定性。总之，二维MXene功能化的InxGa1‑xN纳米柱在光电解水制氢、光电探测器、太阳能电池中具有重要应用前景。
本发明授权一种二维MXene功能化的InxGa1-xN纳米柱及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种二维MXene功能化的InxGa1-xN纳米柱，其特征在于，包括衬底（1）、衬底（1）上的MXene层（2）、生长在MXene层（2）上的InxGa1-xN纳米柱（3）；其中0≤x≤1；所述MXene为Ti3C2、V2C、Ta4C3、MoC3、Ti3CN中的一种或两种；所述衬底上的MXene层厚度为3nm~200nm；所述生长在MXene层上的InxGa1-xN纳米柱包括GaN纳米柱、InGaN纳米柱、InN纳米柱、InGaNGaN核壳结构纳米柱、InNInGaN核壳结构纳米柱中的一种或多种；所述生长在MXene层上的InxGa1-xN纳米柱的高度为50~2000nm,直径为15~500nm。
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