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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112670313B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910984109.6，技术领域涉及：H10B61/00；该发明授权半导体结构及其形成方法是由金吉松设计研发完成，并于2019-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底包括存储区域和逻辑区域，所述存储区域内具有第一导电层，所述逻辑区域内具有第二导电层，且所述基底暴露出第一导电层顶部表面和第二导电层顶部表面；在所述第一导电层表面形成第一电极层、位于第一电极层表面的磁隧道结以及位于所述磁隧道结表面的第二电极层；在所述基底上形成第一介质层，所述第一介质层覆盖第一电极层侧壁表面、磁隧道结侧壁表面、第二电极层侧壁表面和顶部表面；在所述第一介质层内形成第三导电层，所述第三导电层底部和第二电极层顶部表面相接触。所述方法能够节省工艺步骤，且提高制程的兼容性。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括存储区域和逻辑区域，所述存储区域内具有第一导电层，所述逻辑区域内具有第二导电层，且所述基底暴露出所述第一导电层顶部表面和所述第二导电层顶部表面；在所述第一导电层表面形成第一电极层、位于第一电极层表面的磁隧道结以及位于所述磁隧道结表面的第二电极层，并暴露出基底表面；暴露出基底表面后，继续对所述基底进行过刻蚀，过刻蚀后，在所述第一电极层、磁隧道结以及第二电极层的侧壁和顶部表面形成保护层；在所述保护层的表面形成第一介质层，所述第一介质层覆盖第一电极层侧壁表面、磁隧道结侧壁表面、第二电极层侧壁表面和顶部表面；在所述第一介质层内形成第三导电层，所述第三导电层底部和第二电极层顶部表面相接触；其中，所述保护层与所述第一电极层、磁隧道结以及第二电极层的侧壁和顶部表面相接触。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。