恭喜中微半导体设备(上海)股份有限公司赵函一获国家专利权
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龙图腾网恭喜中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利一种下电极组件，其安装方法及等离子体处理装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113725059B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010453854.0，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权一种下电极组件，其安装方法及等离子体处理装置是由赵函一;黄国民;叶如彬;涂乐义设计研发完成，并于2020-05-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种下电极组件，其安装方法及等离子体处理装置在说明书摘要公布了：本发明提供了一种下电极组件，其安装方法及所处的等离子体处理装置，通过介电环与基座配合，将介电环与基座之间的缝隙分隔成两个或两个以上间隙，以及在介电环与基座之间设置保护环，并在基座外侧设置保护层，避免了基片和聚焦环上方的等离子体泄漏到基座与边缘环组件之间的间隙内，防止了等离子体腐蚀基座，降低了下电极组件出现电弧放电的可能性，有效的保证了下电极组件的使用安全。
本发明授权一种下电极组件，其安装方法及等离子体处理装置在权利要求书中公布了：1.一种下电极组件，用于承载待处理基片，其特征在于：其包括：基座,所述基座包括基座本体及自基座本体向外延伸的台阶部；静电夹盘，其位于所述基座的上方；及边缘环组件，其环绕所述基座及静电夹盘设置，所述边缘环组件包括：聚焦环，其环绕所述基座和或静电夹盘设置，及介电环，其位于聚焦环下方并环绕所述基座设置，所述介电环包括介电环本体及自介电环本体向基座方向延伸的延伸部，所述介电环与所述基座之间设有间隙，所述台阶部与所述延伸部配合将所述间隙至少分隔成第一间隙和第二间隙；所述边缘环组件与所述基座和或静电夹盘之间进一步环绕设有保护环，所述保护环的至少一部分与所述基座及所述静电夹盘相互抵靠，且所述保护环的至少一部分与所述介电环相互抵靠。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中微半导体设备(上海)股份有限公司，其通讯地址为：201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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