恭喜北京北方华创微电子装备有限公司袁仁志获国家专利权
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龙图腾网恭喜北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利微机电系统器件的制造方法及微机电系统器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114105086B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111250432.4，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权微机电系统器件的制造方法及微机电系统器件是由袁仁志;林源为设计研发完成，并于2021-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本微机电系统器件的制造方法及微机电系统器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种微机电系统器件的制造方法及微机电系统器件，制造方法包括：在晶圆的正面上的非刻蚀区域形成图形化的金属氧化物掩膜层；对晶圆正面上的待刻蚀区域进行干法刻蚀，在晶圆的正面形成具有孔道结构的微机电系统器件；通过湿法刻蚀去除金属氧化物掩膜层。实现在选择比较低的待刻蚀材料上获得高深宽比的器件结构。
本发明授权微机电系统器件的制造方法及微机电系统器件在权利要求书中公布了：1.一种微机电系统器件的制造方法，其特征在于，包括：在晶圆的正面上的非刻蚀区域形成图形化的金属氧化物掩膜层，所述晶圆的材料为氧化硅，所述金属氧化物掩膜层与所述晶圆正面的氧化硅紧密结合；对所述晶圆的正面上的待刻蚀区域进行干法刻蚀，在所述晶圆的正面形成具有孔道结构的微机电系统器件；通过湿法刻蚀去除所述金属氧化物掩膜层；其中，所述在晶圆的正面上的非刻蚀区域形成图形化的金属氧化物掩膜层，包括：在所述晶圆的正面形成金属有机化合物凝胶层；在氧气氛围下对所述晶圆高温退火，使所述金属有机化合物凝胶层中的金属有机化合物被氧化成金属氧化物，以在所述晶圆的正面形成金属氧化物掩膜层。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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