恭喜英特尔NDTM(美国)有限责任公司C·W·佩茨获国家专利权
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龙图腾网恭喜英特尔NDTM(美国)有限责任公司申请的专利用于存储器设备的改进的蚀刻停止层或硬掩模层的方法和装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109103076B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201810473286.3，技术领域涉及：H01L21/033；该发明授权用于存储器设备的改进的蚀刻停止层或硬掩模层的方法和装置是由C·W·佩茨;P·M·坎贝尔;W·Y·吴;K·B·施罗特里;S·凯沙夫;J·M·梅尔德里姆;P·R·M·劳;T·J·约翰设计研发完成，并于2018-05-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于存储器设备的改进的蚀刻停止层或硬掩模层的方法和装置在说明书摘要公布了：本发明涉及用于存储器设备的改进的蚀刻停止层或硬掩模层的方法和装置。在一个实施例中，一种装置包括：蚀刻停止层，所述蚀刻停止层包含铪、硅或镁中的一种或多种、以及氧化铝；以及通道，所述通道是穿过沉积在所述蚀刻停止层之上的一个或多个层形成的，所述通道延伸至所述蚀刻停止层。
本发明授权用于存储器设备的改进的蚀刻停止层或硬掩模层的方法和装置在权利要求书中公布了：1.一种包括蚀刻停止层的装置，包括：所述蚀刻停止层，所述蚀刻停止层包含铝镁铪氧化物或铝镁硅氧化物，其中，通过将氧化镁和氧化铝与氧化铪或二氧化硅形成合金来形成铝镁铪氧化物或铝镁硅氧化物，其中，所述蚀刻停止层的湿法蚀刻速率、干法蚀刻速率以及结晶温度是通过调节氧化镁、氧化铝、氧化铪或二氧化硅的量来调节的；以及通道，所述通道是穿过沉积在所述蚀刻停止层之上的一个或多个层形成的，所述通道延伸至所述蚀刻停止层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人英特尔NDTM(美国)有限责任公司，其通讯地址为：美国加利福尼亚州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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