恭喜台湾积体电路制造股份有限公司谢丰键获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构、影像感测器和半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113053929B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010935575.8，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权半导体结构、影像感测器和半导体结构的形成方法是由谢丰键;郑允玮;胡维礼;李国政;陈信吉设计研发完成，并于2020-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构、影像感测器和半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构、影像感测器和半导体结构的形成方法，半导体结构包括光电二极管，其中光电二极管包括具有第一导电类型掺杂的基板半导体层、与基板半导体层形成p‑n接面的第二导电类型光电二极管层、与第二导电类型光电二极管层侧向分隔的浮动扩散区域，以及传送栅极电极。传送栅极电极包括形成在基板半导体层中的传送栅极电极下部，且传送栅极电极下部位于第二导电类型光电二极管层和浮动扩散区域之间。传送栅极电极可侧向环绕p‑n接面，并提供增强的电子传输效率从p‑n接面到浮动扩散区域。光电二极管阵列可用于影像感测器中。
本发明授权半导体结构、影像感测器和半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括一光电二极管，其中该光电二极管包括：一基板半导体层，具有一第一导电类型掺杂；一组合，包括一第二导电类型第一光电二极管层和一第二导电类型第二光电二极管层，其中该组合与该基板半导体层形成一p-n接面，该第二导电类型第二光电二极管层的顶表面毗邻该第二导电类型第一光电二极管层的底表面；一浮动扩散区域，与该第二导电类型第一光电二极管层侧向分隔；及一传送栅极电极，包括一传送栅极电极下部形成在该基板半导体层中，且该传送栅极电极下部位于该第二导电类型第一光电二极管层和该浮动扩散区域之间，其中该传送栅极电极下部的底表面的深度等同于或大于该第二导电类型第二光电二极管层的底表面的深度。
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