恭喜顺克·齐卡博技术有限公司M·G·V·明斯特获国家专利权
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龙图腾网恭喜顺克·齐卡博技术有限公司申请的专利化学气相沉积室制品获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114026263B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980098030.1，技术领域涉及：C23C16/44；该发明授权化学气相沉积室制品是由M·G·V·明斯特;G·宋设计研发完成，并于2019-05-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本化学气相沉积室制品在说明书摘要公布了：本发明涉及一种化学气相沉积室制品。本发明还涉及一种处理用于制造半导体元件的化学气相沉积室制品的方法，以及通过这种方法获得的化学气相沉积室制品。在本发明的第一方面，提供了一种化学气相沉积室制品，诸如晶圆载体，用于制造半导体元件，所述室制品具有主体和包括碳化硅的表面，其特征在于，所述表面至少在所述表面的在所述室中制造所述半导体元件期间经受寄生沉积的部分上设置有保护层，并且其中所述保护层包括氧化表面。
本发明授权化学气相沉积室制品在权利要求书中公布了：1.一种化学气相沉积室制品，用于制造半导体元件，所述制品具有主体和包括金属碳化物的表面，其特征在于，所述表面在至少所述表面的在所述室中制造所述半导体元件期间受到寄生沉积的部分上设置保护层，并且其中所述保护层包括氧化表面，其中所述保护层是通过用于保护层再生的重复氧化步骤的氧化而获得的，从而获得包括SiO2、SiO或SiOxCy中的一种的保护层;其中，所述制品包括晶圆载体、晶圆基座、预热环、或提升销、盖部分、顶或用于外延化学气相沉积生长室中的其它部件的组中的任一个。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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