恭喜台湾积体电路制造股份有限公司;台积电(南京)有限公司;台积电(中国)有限公司严章英获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司;台积电(南京)有限公司;台积电(中国)有限公司申请的专利半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113517274B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010723363.3，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权半导体器件及其形成方法是由严章英;王新泳设计研发完成，并于2020-07-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请公开了半导体器件及其形成方法。一种半导体器件包括衬底、有源区域、隔离结构、第一金属线、栅极结构、源极漏极区域、源极漏极接触件和第二金属线。有源区域从衬底的顶表面突出。隔离结构在衬底之上并且横向围绕有源区域。第一金属线在隔离结构中。栅极结构在有源区域之上。源极漏极区域在有源区域中。源极漏极接触件在有源区域之上并且电连接到源极漏极区域。第二金属线在栅极结构和源极漏极接触件之上，其中，第二金属线与第一金属线垂直地重叠。
本发明授权半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：衬底；有源区域，从所述衬底的顶表面突出；隔离结构，在所述衬底之上并且横向围绕所述有源区域；第一金属线，在所述隔离结构中；栅极结构，在所述有源区域之上；源极漏极区域，在所述有源区域中；源极漏极接触件，在所述有源区域之上并且电连接到所述源极漏极区域；第一导电通孔，在所述隔离结构中，其中，所述第一导电通孔与所述第一金属线的顶表面和所述源极漏极接触件的底表面接触；以及第二金属线，在所述栅极结构和所述源极漏极接触件之上，其中，所述第二金属线与所述第一金属线垂直地重叠。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司;台积电(南京)有限公司;台积电(中国)有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号