恭喜天津三安光电有限公司李福龙获国家专利权
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龙图腾网恭喜天津三安光电有限公司申请的专利LED外延结构及其制备方法、LED芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113793887B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110973917.X，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权LED外延结构及其制备方法、LED芯片及其制备方法是由李福龙;刘晓峰;赵坤;魏金栋;薛轶博;王笃祥设计研发完成，并于2021-08-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本LED外延结构及其制备方法、LED芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种LED外延结构及其制备方法、LED芯片及其制备方法，所述LED外延结构包括：生长衬底；电流扩展层，设置于所述生长衬底的上方，所述电流扩展层在所述生长衬底的厚度方向上依次包括第一子层和第二子层，所述第一子层的带隙高于所述第二子层的带隙；外延层，设置于所述第二子层的上方，且所述外延层在所述生长衬底的厚度方向上依次包括第一半导体层、有源层和第二半导体层。本发明的电流扩展层能够增加电流的横向扩散能力，提高LED外延结构的亮度以及抗静电能力，改善LED外延结构的正向电压，有利于器件的可靠性。
本发明授权LED外延结构及其制备方法、LED芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种LED外延结构，其特征在于，包括：生长衬底；电流扩展层，设置于所述生长衬底的上方，所述电流扩展层在所述生长衬底的厚度方向上依次包括第一子层和第二子层，所述第一子层的带隙高于所述第二子层的带隙，所述第一子层的厚度小于所述第二子层的厚度；外延层，设置于所述第二子层的上方，且所述外延层在所述生长衬底的厚度方向上依次包括第一半导体层、有源层和第二半导体层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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