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龙图腾网恭喜四川泊微科技有限公司申请的专利射频SoC芯片用开关、SoC芯片和温补控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119232129B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411764682.3，技术领域涉及：H03K17/687；该发明授权射频SoC芯片用开关、SoC芯片和温补控制方法是由杜易聪设计研发完成，并于2024-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本射频SoC芯片用开关、SoC芯片和温补控制方法在说明书摘要公布了：本发明公开了射频SoC芯片用开关、SoC芯片和温补控制方法，开关包括分别与第一端口连接的第一串联支路和第二串联支路，所述第一串联支路和第二串联支路均包括串联设置于对应串联支路上的四分之一波长线和并联接地MOS管；所述四分之一波长线上并联有至少一个温补移相单元。本发明通过将温补移相单元和开关架构相结合的方式，在不占用更多空间的同时，用简单的电压控制，实现了可对整个SoC芯片的相位调节。在不占用多余版图空间的情况下，多功能SoC芯片的相位调节手段更方便快捷，当确定高低温所需补偿的裕量后就能直接固定控制温补移相单元的开关权重；并且，此技术不受工艺限制，可进行平行移植，能更广泛的应用于各个频段。

本发明授权射频SoC芯片用开关、SoC芯片和温补控制方法在权利要求书中公布了：1.射频SoC芯片用开关，其特征在于：包括分别与第一端口连接的第一串联支路和第二串联支路，所述第一串联支路和第二串联支路均包括串联设置于对应串联支路上的四分之一波长线和并联接地MOS管；所述四分之一波长线等效于多段串联的等效电感，在等效电感之间并联温补移相单元；所述温补移相单元包括串联且接地的温补电容和温补MOS管，温补MOS管的栅极接入外部控制信号；其中：所述温补电容的一端接入四分之一波长线，温补电容的另一端与温补MOS管的源极连接，温补MOS管的栅极接地；或者：所述温补电容的一端接入四分之一波长线，温补电容的另一端与温补MOS管的漏极连接，温补MOS管的源极接地；或者：所述温补电容的一端接入接地，温补电容的另一端与温补MOS管的源极连接，温补MOS管的漏极接入四分之一波长线；或者：所述温补电容的一端接入接地，温补电容的另一端与温补MOS管的漏极连接，温补MOS管的源极接入四分之一波长线。

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