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龙图腾网恭喜嘉兴阿特斯技术研究院有限公司申请的专利一种异质结太阳能电池及其制备方法和光伏组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119364866B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411886567.3，技术领域涉及：H10F10/166；该发明授权一种异质结太阳能电池及其制备方法和光伏组件是由张玲;姚铮;张达奇设计研发完成，并于2024-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种异质结太阳能电池及其制备方法和光伏组件在说明书摘要公布了：本发明的目的在于提供一种异质结太阳能电池及其制备方法和光伏组件。所述异质结太阳能电池包括：硅衬底；所述硅衬底一侧表面上叠层设置有第一透明导电层和第一电极，所述硅衬底另一侧表面上叠层设置有第二透明导电层和第二电极；其中，所述第一透明导电层包括第一激光活化区和第一非激光活化区，所述第一激光活化区与所述第一电极相互接触；和或，所述第二透明导电层包括第二激光活化区和第二非激光活化区，所述第二激光活化区与所述第二电极相互接触。本发明的TCO与电极接触的区域为激光活化区域，可以降低电极‑TCO之间的接触电阻率和透明导电层方阻，从而达到降低串联电阻Rs和提高电池转换效率的目的。

本发明授权一种异质结太阳能电池及其制备方法和光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种异质结太阳能电池，其特征在于，所述异质结太阳能电池包括：硅衬底；所述硅衬底一侧表面上叠层设置有第一透明导电层和第一电极，所述硅衬底另一侧表面上叠层设置有第二透明导电层和第二电极；其中，所述第一透明导电层包括第一激光活化区和第一非激光活化区，所述第一激光活化区与所述第一电极相互接触；和或，所述第二透明导电层包括第二激光活化区和第二非激光活化区，所述第二激光活化区与所述第二电极相互接触；所述第一透明导电层的厚度方向的区域中，与所述第一电极相对应的未接触区域为第三激光活化区；和或，所述第二透明导电层的厚度方向的区域中，与所述第二电极相对应的未接触区域为第四激光活化区；制备方法包括：在硅衬底的两侧分别制备第一透明导电层和第二透明导电层；对第一透明导电层与第一电极接触的区域进行第一激光处理，和或，对所述第二透明导电层与第二电极接触的区域进行第二激光处理，对所述第一透明导电层的厚度方向的区域中与所述第一电极相对应的未接触区域进行第三激光处理，和或，对所述第二透明导电层的厚度方向的区域中与所述第二电极相对应的未接触区域进行第四激光处理，进行第一电极和第二电极的制备，得到所述异质结太阳能电池。

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