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龙图腾网恭喜长飞先进半导体(武汉)有限公司申请的专利半导体器件、功率模块、转换电路、车辆及器件制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119342872B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411885611.9，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权半导体器件、功率模块、转换电路、车辆及器件制备方法是由罗成志;谢炜;唐宇坤设计研发完成，并于2024-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件、功率模块、转换电路、车辆及器件制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件、功率模块、转换电路、车辆及器件制备方法，其中，半导体器件包括：半导体本体，半导体本体包括衬底、外延层、阱区、第一区域和第二区域，半导体本体设置有栅极沟槽和源极沟槽，栅极沟槽和源极沟槽均从第一表面延伸至外延层中；第二区域设置于源极沟槽远离或靠近栅极沟槽的一侧；第一区域和外延层为第一掺杂类型，阱区和第二区域为第二掺杂类型；栅极结构，位于栅极沟槽内；源极结构，位于源极沟槽内；漏极，位于衬底远离外延层一侧。本发明提供半导体器件降低了半导体器件反向导通压降，提高了半导体器件反接时的泄流速度，提高了半导体器件的性能稳定性和安全性。

本发明授权半导体器件、功率模块、转换电路、车辆及器件制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体本体，包括衬底、外延层、阱区、第一区域、第二区域和埋层，所述外延层位于所述衬底一侧，所述阱区设置于所述外延层远离所述衬底的一侧，所述第一区域设置于所述阱区远离所述衬底的一侧；所述第一区域远离所述衬底一侧的表面作为第一表面，所述第一表面分别设置有栅极沟槽和源极沟槽，所述栅极沟槽和所述源极沟槽均从所述第一表面延伸至所述外延层中；所述第二区域设置于所述源极沟槽远离或靠近所述栅极沟槽的一侧，所述埋层设置于所述源极沟槽的另一侧；所述第二区域从所述第一表面延伸至所述外延层中；所述埋层在所述源极沟槽侧壁上的正投影与所述阱区和所述第一区域在所述源极沟槽侧壁上的正投影不交叠；所述第一区域和所述外延层为第一掺杂类型，所述阱区和所述第二区域为第二掺杂类型；栅极结构，位于所述栅极沟槽内；源极结构，位于所述源极沟槽内；源极金属层，位于所述第一表面，与所述源极结构接触；漏极，位于所述衬底远离所述外延层一侧。

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