恭喜长沙华实半导体有限公司李豪获国家专利权
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龙图腾网恭喜长沙华实半导体有限公司申请的专利一种硅电极及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119361409B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411932226.5，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权一种硅电极及其制作方法是由李豪;马贺贺;陈宏元;曹金培设计研发完成，并于2024-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硅电极及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种硅电极及其制作方法，旨在改善硅电极使用寿命较低的问题。所述硅电极包括硅电极本体以及沿所述硅电极本体的周向方向间隔设置的多个贯穿槽，每一所述贯穿槽沿所述硅电极本体的径向方向延伸；所述贯穿槽具有相对设置的第一边和第二边，所述第一边和或所述第二边为圆角边。本申请中，贯穿槽的第一边和第二边中的至少一者设置为圆角边，圆角边可以降低电弧聚集状况发生的概率，避免电弧损伤贯穿槽。由此，有利于提高硅电极的使用寿命，进而利于降低刻蚀成本。
本发明授权一种硅电极及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种硅电极的制作方法，其特征在于，包括：提供硅电极本体；在所述硅电极本体上沿周向方向依次形成多个间隔设置的沉头预孔；按照加工顺序将所述多个沉头预孔等分为多组；依次对当前组内的所述多个沉头预孔磨削，以形成当前组的多个贯穿槽；获取当前组内的最后一个所述贯穿槽的尺寸并与预设尺寸相比较，得出下一组的槽补偿参数，所述槽补偿参数包括所述贯穿槽的长度补偿值和或宽度补偿值，所述预设尺寸为所述贯穿槽的设计长度和或设计宽度；将所述贯穿槽的长度补偿值和或宽度补偿值补偿至刀具的加工参数中，以对所述刀具进行参数补偿；使用参数补偿后的所述刀具对下一组内的所述多个沉头预孔磨削，以形成下一组的多个所述贯穿槽，每一所述贯穿槽沿所述硅电极本体的径向方向延伸，所述贯穿槽具有相对设置的第一边和第二边；对所述第一边和或所述第二边倒圆角。
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