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龙图腾网恭喜中国科学院理化技术研究所申请的专利一种透明有机异质结阵列及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115513377B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110629285.5，技术领域涉及：H10K30/20；该发明授权一种透明有机异质结阵列及其制备方法和应用是由王京霞;岳钰琛;江雷设计研发完成，并于2021-06-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种透明有机异质结阵列及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开一种透明有机异质结阵列，包括透明基底，以及分布在其上的有机异质结阵列；其中，单个有机异质结上表面的面积为900‑10000μm2，单个有机异质结的厚度为300‑1000nm。该阵列中的单个有机异质结的尺寸小于人眼分辨率，且结构中存在大量孔隙，在可见光范围内可保持70％以上的光透过率，呈透明状态。基于该透明有机异质结阵列的光电探测器，具有透明、柔性、微型化、阵列化、集成化和可大面积制备的优势，且光电探测器中电荷传输距离短、开关比大、暗电流小。同时本发明还提供了基于液桥现象的上述有机异质结的制备方法，该方法简单，易操作。

本发明授权一种透明有机异质结阵列及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种基于溶液法制备透明大面积有机异质结阵列光电探测器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将5µL有机给体-受体溶液滴加至疏水模板上，使透明基底靠近疏水模板，直至与溶液相接触，在疏水模板和透明基底之间形成液桥；在溶剂气氛下，100℃的烘箱中烘干48h，待溶剂挥干，取下疏水模板，可得到透明有机异质结阵列；通过真空蒸镀的方式在有机异质结上表面沉积电子传输层MoO3和金属Ag；所述透明基底为表面旋涂有ZnO薄膜的ITO玻璃；所述疏水模板上分布有柱状结构阵列，其中单个柱状结构的顶部面积为900-10000μm2，单个柱状结构的高度为20µm，相邻柱状结构之间的间距为15-70μm；所述有机给体-受体溶液的质量浓度为15mgmL，给体材料PBDB-T，受体材料为ITIC，给体材料和受体材料的质量比为1:1；或者所述有机给体-受体溶液的质量浓度为15mgmL，给体材料BTR，受体材料为PC71BM，给体材料和受体材料的质量比为1:1；或者所述有机给体-受体溶液的质量浓度为15mgmL，给体材料PM6，受体材料为PY1T，给体材料和受体材料的质量比为1:1；或者所述有机给体-受体溶液的质量浓度为15mgmL，给体材料PM6，受体材料为Y6，给体材料和受体材料的质量比为1:1；或者所述有机给体-受体溶液的质量浓度为15mgmL，给体材料BTR-BDF，受体材料为ICBA，给体材料和受体材料的质量比为1:1。

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