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龙图腾网恭喜上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利射频开关电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113872576B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111120386.6，技术领域涉及：H03K17/041；该发明授权射频开关电路是由戴若凡;任江川设计研发完成，并于2021-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本射频开关电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种射频开关电路，由多个射频晶体管级联成网络且网络的首尾两端形成输入输出端口；在每个射频晶体管的源、漏端之间具有源漏偏置电阻，每个射频晶体管的栅极还连接有栅极偏置电阻，且每相邻的射频晶体管的栅极偏置电阻之间还连接有第一偏置电阻；所述的多个射频晶体管的衬底电极还连接有体端偏置电阻，且每相邻的射频晶体管的体端偏置电阻之间还连接有第二偏置电阻；所述的第一偏置电阻的两端以及第二偏置电阻的两端均并联有相同结构的开关网络；通过开关网络的接通或断开使第一偏置电阻或第二偏置电阻的两端被短路或开路；在短路时加速第一偏置电阻或第二偏置电阻两端的电荷充放电。

本发明授权射频开关电路在权利要求书中公布了：1.一种射频开关电路，其特征在于：所述的射频开关电路由N个射频晶体管级联成网络，N为大于1的自然数；所述网络的首尾两端形成射频开关电路的输入输出端口；所述的多个射频晶体管，在每个射频晶体管的源、漏端之间具有源漏偏置电阻，每个射频晶体管的栅极还连接有栅极偏置电阻，且每相邻的射频晶体管的栅极偏置电阻之间还连接有第一偏置电阻；所述的多个射频晶体管的衬底电极还连接有体端偏置电阻，且每相邻的射频晶体管的体端偏置电阻之间还连接有第二偏置电阻；所述的第一偏置电阻的两端并联有开关网络，通过开关网络的接通或断开使第一偏置电阻的两端被短路或开路；在短路时加速第一偏置电阻两端的电荷充放电；所述的第二偏置电阻的两端并联有开关网络，其结构与第一偏置电阻两端所并联的开关网络相同；通过开关网络的接通或断开使第二偏置电阻的两端被短路或开路；在短路时加速第二偏置电阻两端的电荷充放电。

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