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龙图腾网恭喜东南大学申请的专利TiO₂纳米花负载CdTe量子点的电化学发光免疫传感器及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114739986B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210426120.2，技术领域涉及：G01N21/76；该发明授权TiO₂纳米花负载CdTe量子点的电化学发光免疫传感器及其制备方法和应用是由丁收年;车志远;王晓燕;汤万升;吴升铜;刘浩;季丹丹设计研发完成，并于2022-04-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本TiO₂纳米花负载CdTe量子点的电化学发光免疫传感器及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种TiO2纳米花负载CdTe量子点的电化学发光免疫传感器及其制备方法和应用。制备CdTeTiO2NFs复合材料用作电化学发光信号标记物。TiO2NFs的表面及内部能够负载大量CdTeQDs，同时可以催化CdTeQDsS2O82‑体系的共反应过程，使CdTeTiO2NFs电化学发光强度显著提高。将磁性材料Fe3O4@SiO2NPs用作磁性分离载体，其拥有超顺磁性、良好的生物相容性、易于生物修饰等优点。本发明基于抗原与抗体之间的相互作用构建了电化学发光免疫传感器，该传感器拥有灵敏度高、特异性强、稳定性好、检测限低、线性范围宽、操作简单等特点。

本发明授权TiO₂纳米花负载CdTe量子点的电化学发光免疫传感器及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种TiO2纳米花负载CdTe量子点的电化学发光免疫传感器，其特征在于：该传感器包括信号单元CdTeTiO2NFs-Ab2、非特异性结合位点被封闭的Fe3O4@SiO2-Ab1，以及分别与CdTeTiO2NFs-Ab2、Fe3O4@SiO2-Ab1通过抗原-抗体间的相互作用连接的抗原；所述CdTeTiO2NFs-Ab2为CdTeTiO2NFs标记的抗原对应的第二抗体；所述CdTeTiO2NFs为负载CdTeQDs的TiO2NFs；所述Fe3O4@SiO2-Ab1为表面化学修饰有抗原对应的第一抗体Fe3O4@SiO2，所述Fe3O4@SiO2为SiO2包覆的Fe3O4；所述的CdTeTiO2NFs-Ab2的制备方法包括以下步骤：1活化CdTeTiO2NFs表面的羧酸基团；2使第二抗体与经过活化处理的CdTeTiO2NFs表面及内部的羧酸基团反应，获得CdTeTiO2NFs标记的抗原对应的第二抗体；所述非特异性结合位点被封闭的Fe3O4@SiO2-Ab1的制备方法包括以下步骤：1使戊二醛与表面氨基化的Fe3O4@SiO2反应，获得戊二醛功能化的Fe3O4@SiO2；2使第一抗体与戊二醛功能化的Fe3O4@SiO2反应，通过戊二醛的交联反应将第一抗体连接到Fe3O4@SiO2上，获得表面修饰有第一抗体的Fe3O4@SiO2；3使用牛血清白蛋白封闭表面修饰有第一抗体的Fe3O4@SiO2的非特异性结合位点，获得非特异性结合位点被封闭的Fe3O4@SiO2-Ab1。

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