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龙图腾网恭喜西北工业大学申请的专利一种氧乙炔火焰处理MOF阵列表面原位快速生长CNTs的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116119651B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211600904.9，技术领域涉及：C01B32/162；该发明授权一种氧乙炔火焰处理MOF阵列表面原位快速生长CNTs的方法是由殷学民;刘慧敏;刘天宇;付前刚;李克智;李贺军设计研发完成，并于2022-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氧乙炔火焰处理MOF阵列表面原位快速生长CNTs的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种氧乙炔火焰处理MOF阵列表面原位快速生长CNTs的方法，首先在基底上制备MOF阵列，既作为CNTs生长的基底，又为CNTs生长提供催化剂；CNTs生长的碳源来源于MOF自身热解产生的含碳小分子气体以及火焰燃烧剩余的乙炔。通过调控碳源与氧气比例、处理时间、距离等工艺参数，实现MOF阵列的快速碳化并保证阵列结构完整性，CNTs的原位快速生长。此外，CNTs与基底间具有良好的结合力。本发明相比与传统方法利用MOF制备碳纳米催化材料，该工艺制备的碳纳米催化材料保持阵列化特征，不仅可以避免后续应用中使用导电添加剂等，结构也具有良好的稳定性、大的比表面积、多的活性位点；同时，CNTs可以增大碳纳米催化剂的比表面积，暴露更多活性位点，提高导电性。

本发明授权一种氧乙炔火焰处理MOF阵列表面原位快速生长CNTs的方法在权利要求书中公布了：1.一种氧乙炔火焰处理MOF阵列表面原位快速生长CNTs的方法，其特征在于步骤如下：步骤1、MOF阵列的制备：将基底浸泡在硝酸盐水溶液中1~6h，再加入2-甲基咪唑水溶液，搅拌30~60s；室温下静置反应1~6h；反应物质水和无水乙醇洗涤多次后，烘干，在基底上沉积得到MOF阵列；步骤2、CNTs的制备：调节氧乙炔枪头至生长有MOF阵列的基底表面距离为10~50mm，采用氧乙炔火焰处理0.5~5s后，关闭氧气和乙炔，随空气冷却降温，在MOF阵列表面生长制备出CNTs；所述氧气流量为0.1~0.5Ls；所述乙炔流量为0.1~0.5Ls；所述MOF阵列为Co-MOF、Fe-MOF、Ni-MOF、NiCo-MOF、CoFe-MOF、NiFe-MOF、NiCoFe-MOF中的一种。

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