恭喜台湾积体电路制造股份有限公司郑志昌获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111739942B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910511593.0，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权半导体装置及其形成方法是由郑志昌;朱馥钰;柳瑞兴设计研发完成，并于2019-06-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其形成方法在说明书摘要公布了：在一些实施例中，提供一种半导体装置。所述半导体装置包括隔离结构，所述隔离结构设置在半导体衬底中，其中所述隔离结构的内周界划定出所述半导体衬底的装置区。栅极设置在所述装置区之上，其中所述栅极的外周界设置在所述隔离结构的所述内周界内。第一源极漏极区设置在所述装置区中及所述栅极的第一侧上。第二源极漏极区设置在所述装置区中及所述栅极的与所述第一侧相对的第二侧上。硅化物阻挡结构局部地覆盖所述栅极、局部地覆盖所述第一源极漏极区且局部地覆盖所述隔离结构，其中所述硅化物阻挡结构的第一侧壁设置在所述栅极的第一相对侧壁之间。
本发明授权半导体装置及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括：隔离结构，设置在半导体衬底中，其中所述隔离结构的内周界划定出所述半导体衬底的装置区；栅极，设置在所述装置区之上，其中所述栅极的外周界设置在所述隔离结构的所述内周界内；第一源极漏极区，设置在所述装置区中及所述栅极的第一侧上；第二源极漏极区，设置在所述装置区中及所述栅极的与所述第一侧相对的第二侧上；以及硅化物阻挡结构，局部地覆盖所述栅极、局部地覆盖所述第一源极漏极区且局部地覆盖所述隔离结构，其中所述硅化物阻挡结构的第一侧壁设置在所述栅极的第一相对侧壁之间。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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