恭喜北京北方华创微电子装备有限公司杨光获国家专利权
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龙图腾网恭喜北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利沟槽刻蚀方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115223862B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211005989.6，技术领域涉及：H01L21/3065；该发明授权沟槽刻蚀方法是由杨光;何忠义;张建坤;蒋中伟;王京;周清军设计研发完成，并于2022-08-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本沟槽刻蚀方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种沟槽刻蚀方法，包括第一循环步骤和第二循环步骤，二者均包括用于在衬底上刻蚀沟槽的刻蚀步、用于在沟槽侧壁上形成保护层的沉积步和用于去除沟槽底部的副产物的去除步；第一循环步骤中，依次循环执行刻蚀步、沉积步和去除步；第二循环步骤中，依次循环执行刻蚀步、去除步和沉积步。本发明提供的沟槽刻蚀方法，其可以改善深度负载效应，避免沟槽顶部的宽度过大，从而可以保证线条尺寸LineCD满足工艺要求，进而可以获得更垂直的刻蚀形貌。
本发明授权沟槽刻蚀方法在权利要求书中公布了：1.一种沟槽刻蚀方法，其特征在于，包括第一循环步骤和第二循环步骤，二者均包括用于在衬底上刻蚀沟槽的刻蚀步、用于在所述沟槽侧壁上形成保护层的沉积步和用于去除所述沟槽底部的副产物的去除步；所述第一循环步骤中，依次循环执行所述刻蚀步、所述沉积步和所述去除步；所述第二循环步骤中，依次循环执行所述刻蚀步、所述去除步和所述沉积步。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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